ARM和中芯国际合作开发先进的ARM物理IP库平台新日

ARM和中芯国际合作开发先进的ARM物理IP库平台

2012-02-02 21:18:09来源：评论：0 点击：ARM 和中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布双方将在中芯65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的 ARM 物理 IP 库平台。

ARM 和中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布双方将在中芯65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的 ARM 物理 IP 库平台。该协议将免费提供 ARM 的 DesignStart 在线 IP 访问入口供双方客户使用，可下载9轨和12轨 mulTI-Vt 逻辑库套件，电源管理包， ECO 包和 ARM 优化的高密度存储编译器。该协议扩展了双方长期合作关系，以提供双方客户得以用于180纳米，130纳米，110纳米和90纳米的工艺技术上具高度差异化的 IP 。

通过 ARM 先进的的物理 IP ，中芯国际可提供一个经客户广泛验证的 ARM 物理 IP 库配套的设计平台。这些 IP 库已用于全球数以千计的 SoC 设计，专门用于对精确性、性能、功耗和面积上有需求的低功耗、高密度的移动和便携式 SoC 产品。

“作为物理 IP 的领先供应商， ARM 非常高兴与中芯国际的协作，这使我们的技术能够被更广泛地采用”， ARM 公司执行副总裁和物理 IP 部门总经理 Simon Segars 表示，“随着业界领先的 ARM 物理 IP 全面产品组合，我们共同的客户将能够免费获取一个低成本的，专为低功耗、高密度的移动和便携式 SoC 提供的完整 IP 解决方案。”

“中芯国际一直以来致力于提供卓越的技术来支持我们的 SoC 客户”，中芯国际资深副总裁兼首席商务长季克非表示，“通过扩大与 ARM 的合作关系，使用业界领先的 ARM 物理 IP ，我们为客户提供了一个能够轻松地移植到65纳米和40纳米的工艺平台，极大的缩短客户达到量产的时间。”

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